企业简介
成都海威华芯科技有限公司 main business:通信设备、电子设备及其产品、电子芯片设计、生产、销售及技术咨询服务；从事货物及技术进出口的对外贸易经营；以及其他无需许可或者审批的合法项目。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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成都海威华芯科技有限公司的工商信息
- 510122000081155
- 915101225644859044
- 存续（在营、开业、在册）
- 其他有限责任公司
- 2010年12月02日
- 万涛
- 120100.000000
- 2010年12月02日 至 3999年01月01日
- 成都市双流区市场和质量监督管理局
- 2018年05月15日
- 中国（四川）自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区物联大道88号
- 通信设备、电子设备及其产品、电子芯片设计、生产、销售及技术咨询服务；从事货物及技术进出口的对外贸易经营；以及其他无需许可或者审批的合法项目。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。
成都海威华芯科技有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 成都海威华芯科技有限公司 | www.hiwafer.com |
| 网站 | 海威华芯 | http://www.hiwafer.com/ |
成都海威华芯科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205385025U | 一种硅基GaN外延结构 | 2016.07.13 | 本实用新型提供了一种硅基GaN外延结构，包括P型Si衬底、位于P型Si衬底之上的成核层、位于成核层之 |
| 2 | CN105742180A | GaN HEMT器件的制作方法 | 2016.07.06 | 本发明提供了一种GaN HEMT器件的制作方法，包括：提供生长衬底并在生长衬底表面涂覆压印胶；将具有 |
| 3 | CN105810578A | 化合物半导体基材的表面处理方法及外延结构 | 2016.07.27 | 本发明提供了一种化合物半导体基材的表面处理方法及外延结构。该表面处理方法包括：朝化合物半导体基材的表 |
| 4 | CN205670542U | 一种硅基异质集成的P沟道HFET器件 | 2016.11.02 | 本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种硅基异质集成的P沟道HFET器件，包括：衬底；低温InAlA |
| 5 | CN105844059A | 一种微波大功率晶体管建模方法 | 2016.08.10 | 本发明提供一种微波大功率晶体管建模方法，包括以下步骤：S1、建立小尺寸单胞晶体管非线性等效电路模型； |
| 6 | CN106250622A | 一种FET微波噪声模型建立方法 | 2016.12.21 | 本发明涉及半导体集成电路制造领域，公开了一种FET微波噪声模型建立方法，包括：将FET电极划分为四个 |
| 7 | CN205670541U | 等比例缩小的GaN HEMT器件 | 2016.11.02 | 本实用新型提供了一种等比例缩小的GaN HEMT器件，其包括：衬底；成核层形成在衬底上；GaN缓冲层 |
| 8 | CN106206281A | InGaP外延层的刻蚀方法 | 2016.12.07 | 本发明提供了一种InGaP外延层的刻蚀方法，InGaP外延层生长在衬底上，刻蚀方法包括：采用化学气相 |
| 9 | CN106486355A | 一种InGaP的湿法刻蚀方法 | 2017.03.08 | 本发明涉及半导体制造业技术领域，尤其涉及一种InGaP的湿法刻蚀方法，包括如下步骤：在衬底或外延层上 |
| 10 | CN206148417U | 一种晶圆辅助载具 | 2017.05.03 | 本实用新型提供一种晶圆辅助载具，包括圆环和固定栓，圆环表面设置有限制晶圆滑动的栓针，圆环外边缘开设有 |
| 11 | CN106603032A | 一种AlN SAW光电集成器件的制作方法 | 2017.04.26 | 本发明涉及一种GaAs AlN SAW光电集成器件的制作方法，即将AlN SAW器件、InGaP H |
| 12 | CN206116405U | 一种低欧姆接触的InP MOS HEMT器件 | 2017.04.19 | 本实用新型提供了一种低欧姆接触的InP MOS HEMT器件，包括由下至上依次层叠的衬底、InP缓冲 |
| 13 | CN206098371U | 一种改进型晶圆承载台 | 2017.04.12 | 本实用新型公开了一种改进型晶圆承载台，承载台为空心半球形，且在承载台上设置有多个晶圆夹具，所述晶圆夹 |
| 14 | CN206059397U | 一种基于离子注入的GaN功率器件 | 2017.03.29 | 本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种基于离子注入的GaN功率器件，包括SiC衬底和在SiC衬底上 |
| 15 | CN106548956A | 一种蒸发沉积薄膜的厚度量测方法 | 2017.03.29 | 本发明涉及检测技术领域，尤其是一种蒸发沉积薄膜的厚度量测方法，其目的在于快速量测蒸发沉积薄膜的厚度， |
| 16 | CN104900747B | 基于GaN的光电集成器件及其制备方法、外延结构 | 2017.03.22 | 本发明提供一种基于GaN的光电集成器件及其制备方法、外延结构。该器件包括由下而上依次层叠的衬底、成核 |
| 17 | CN106526445A | 一种GaN_HEMT热稳态特性的快速测量方法 | 2017.03.22 | 本发明涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种GaN HEMT热稳态特性的快速测量方法，包括如下步骤：选 |
| 18 | CN206010965U | 一种光刻机光学镜片的拆装工具 | 2017.03.15 | 本实用新型涉及光刻机光学元件的拆装工具的改造技术领域，尤其涉及一种光刻机光学镜片的拆装工具，包括：固 |
| 19 | CN106505007A | 一种高电子迁移率晶体管背孔刻蚀的终点监控方法 | 2017.03.15 | 本发明提供一种高电子迁移率晶体管背孔刻蚀的终点监控方法，在器件正面工艺的布线层交替生长两种金属形成周 |
| 20 | CN205999476U | 一种蒸发镀膜的均匀性挡板 | 2017.03.08 | 本实用新型公开了一种蒸发镀膜的均匀性挡板，包括支座、安装在支座上的挡板轴、设置在挡板轴上的挡板；所述 |
| 21 | CN205984983U | 集成电路片内电感器件 | 2017.02.22 | 本实用新型提供了一种集成电路片内电感器件，其包括衬底，衬底上形成有SiN隔离层，SiN隔离层具有露出 |
| 22 | CN205984998U | 一种增强型GaAs mHEMT器件 | 2017.02.22 | 本实用新型提供了一种增强型GaAs mHEMT器件，包括由下至上依次形成的衬底、第一GaAs缓冲层、 |
| 23 | CN106449748A | 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构 | 2017.02.22 | 本发明提供一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，从下到上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、 |
| 24 | CN106407629A | 基于蒙特卡洛算法的GaN HEMT噪声模型建立方法 | 2017.02.15 | 本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及基于蒙特卡洛算法的GaN HENT噪声模型建立方法，包括如下步骤 |
| 25 | CN106384711A | 一种GaN功率半导体器件的衬底转移方法 | 2017.02.08 | 本发明提供了一种GaN功率半导体器件的衬底转移方法，通过特殊的晶圆级键合技术，将设置在硅衬底上的Ga |
| 26 | CN205944089U | 一种无源单片高Q电感的隔离层结构 | 2017.02.08 | 本实用新型涉及了一种无源单片高Q电感的隔离层结构，包括衬底、SiN层、PBO层，所述衬底上设有SiN |
| 27 | CN205941630U | 集成电路直流测试探针装置 | 2017.02.08 | 本实用新型提供了一种集成电路直流测试探针装置，其包括探针台和探针基座，探针基座的一端设有探针，探针台 |
| 28 | CN205920973U | 一种硅基异质集成的P型沟道HFET器件外延结构 | 2017.02.01 | 本实用新型涉及了一种硅基异质集成的P型沟道HFET器件外延结构，所述外延结构从下至上依次为衬底、低温 |
| 29 | CN106372357A | 一种GaN HEMT非线性噪声模型建立方法 | 2017.02.01 | 本发明涉及半导体集成电路制‑‑造领域，尤其涉及一种GaN HEMT非线性噪声模型的建立方法，其特征在 |
| 30 | CN205910497U | 一种光刻机预对准系统校准工具 | 2017.01.25 | 本实用新型涉及了一种光刻机预对准系统校准工具，包括圆形金属薄片，所述圆形金属薄片边沿均匀开设4个缺口 |
| 31 | CN205881910U | 适于量产的6吋GaN HEMT外延结构 | 2017.01.11 | 本实用新型提供了一种适于量产的6吋GaN HEMT外延结构，其从下到上依次包括6吋SiC半绝缘衬底、 |
| 32 | CN106294976A | 一种GaN HEMT噪声模型建立方法 | 2017.01.04 | 本发明提供一种GaN HEMT噪声模型建立方法，包括以下步骤：S1、建立GaN HEMT小信号等效电 |
| 33 | CN106298458A | 一种功率半导体器件的衬底转移方法 | 2017.01.04 | 本发明提供了一种功率半导体器件的衬底转移方法，通过特殊的晶圆级键合技术，将设置在硅衬底上的GaN功率 |
| 34 | CN106298456A | 垂直结构功率半导体器件的衬底转移方法 | 2017.01.04 | 本发明提供了一种垂直结构功率半导体器件的衬底转移方法，通过特殊的晶圆级键合技术，将设置在Si基衬底上 |
| 35 | CN205749388U | 一种电极清洗装置 | 2016.11.30 | 本实用新型涉及精密仪器测试领域，公开了一种电极清洗装置，包括上端开口、下端设置清洗机构的清洗瓶、通过 |
| 36 | CN205749385U | 一种超纯水pH离线测试装置 | 2016.11.30 | 本实用新型提供一种超纯水pH离线测试装置，包括测试组件、恒温组件及空气隔绝组件；测试组件包括用于盛放 |
| 37 | CN106169414A | 一种应力可控型硅基薄膜的制备方法 | 2016.11.30 | 本发明公开了一种应力可控型硅基薄膜的制备方法，包括使用单频PECVD设备通过化学气相沉积法使原料气体 |
| 38 | CN106124829A | 场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法 | 2016.11.16 | 本发明提供了一种场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法，其包括以下步骤：将场效应晶体管的漏极开路、 |
| 39 | CN205680686U | 一种GaN增强耗尽型MOS‑HEMT器件 | 2016.11.09 | 本实用新型提供了一种GaN增强耗尽型MOS‑HEMT器件，包括由下至上依次形成的衬底、SiN/AlN |
| 40 | CN106067421A | 减小氮化镓高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻率的方法 | 2016.11.02 | 本发明提供了一种减小氮化镓高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻率的方法，其包括：在晶圆表面旋涂光刻胶形成光 |
| 41 | CN205660524U | 一种采用研磨棒制作的化合物半导体外延结构 | 2016.10.26 | 本实用新型实施例公开了一种采用研磨棒制作的化合物半导体外延结构，该化合物半导体结构，包括：衬底，衬底 |
| 42 | CN106055765A | 毫米波FET的噪声模型建立方法 | 2016.10.26 | 本发明提供了一种毫米波FET的噪声模型建立方法，其包括：将毫米波FET划分为无源结构区和有源结构区； |
| 43 | CN106021670A | 一种毫米波FET的建模方法 | 2016.10.12 | 本发明提供了一种毫米波FET的建模方法，包括步骤：将毫米波FET划分为无源结构区的输入电极和输出电极 |
| 44 | CN106024695A | 用于GaN晶体管的器件隔离方法 | 2016.10.12 | 本发明提供了一种用于GaN晶体管的器件隔离方法，其包括：在GaN晶圆表面旋涂光刻胶形成光刻胶层，Ga |
| 45 | CN105956228A | 高效率开关类功率放大器的晶体管建模方法 | 2016.09.21 | 本发明提供了一种高效率开关类功率放大器的晶体管建模方法，其包括：根据晶体管的类型选取等效电路拓扑；对 |
| 46 | CN205595302U | 扫描电子显微镜装置 | 2016.09.21 | 本实用新型提供了一种扫描电子显微镜装置，其包括圆形台面，所述圆形台面的中心开设有圆形过孔，圆形过孔内 |
| 47 | CN205428942U | 一种GaN HEMT器件 | 2016.08.03 | 本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种GaN HEMT器件，包括：衬底；SiC晶须，所述SiC晶须 |
| 48 | CN105655335A | GaAs微电子集成器件 | 2016.06.08 | 本发明提供了一种GaAs微电子集成器件，其包括外延层、三个器件结构层，外延层包括衬底和N-GaAs集 |
| 49 | CN105655236A | GaN器件的制作方法及GaN器件 | 2016.06.08 | 本发明提供了一种GaN器件的制作方法及GaN器件。该方法包括：提供生长衬底，在生长衬底的上表面和下表 |
| 50 | CN205303470U | 一种增强型GaN器件 | 2016.06.08 | 本实用新型涉及半导体器件技术领域，通过提供一种增强型GaN器件，包括：衬底；SiN/AlN成核层，位 |
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